4月17日晚間，中微公司(688012)發布2024年年度報告。報告顯示，憑借核心技術突破、研發高強度投入及運營效率優化，中微公司2024年實現營業收入約90.65億元，同比增長約44.73%，保持了近四年營收年均增幅大于40%；扣除非經常性損益的凈利潤約13.88億元，同比增長約16.52%。

從行業情況來看，近年來隨著人工智能、云計算、大數據、自動駕駛等數碼技術相關的產業進一步加速發展，半導體微觀制造設備作為數碼產業的基石，其市場高速發展。據國際半導體產業協會（SEMI）數據，全球半導體設備市場規模由2019年的576億美元提升至2023年的1063億美元，年均復合增長率達到16.55%。2024年，全球半導體設備市場規模1171億美元，同比增長10.16%；其中，中國大陸半導體設備市場規模達到496億美元，同比增長35%，占全球總規模的44%。

據披露，2024年，中微公司營業收入突破90億元，較2023年增加28.02億元，在過去13年保持年均超35%的復合增長，近四年年均增速提升至40%以上。其中，刻蝕設備作為核心業務表現尤為亮眼，全年收入約72.77億元，同比增長約54.73%，近四年年均增速超50%，領跑市場。目前，中微公司的CCP （Capacitively Coupled Plasma，電容耦合等離子體）高能等離子體刻蝕設備和ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）低能等離子體刻蝕設備已覆蓋國內95%以上的刻蝕應用需求，并在5納米及更先進制程的國際領先產線中實現規模量產。

其中，中微公司自主研發的ICP雙臺機Primo Twin-Star?，其刻蝕精度達到每分鐘0.2埃（0.02納米），相當于硅原子直徑的十分之一。該設備在氧化硅、氮化硅等材料的刻蝕工藝中表現卓越，在200片硅片的重復性測試中，在左右兩個反應臺上各100片的平均刻蝕速度相差均小于每分鐘1.5埃。兩個反應臺之間平均刻蝕速度的差別，遠小于一個反應臺加工多片晶圓刻蝕速度的差別。同時，公司的CCP雙臺機目前已有近600個反應臺在國際最先進的邏輯產線上量產，有相當一部分機臺已在5納米及更先進的生產線上用于量產。

“工欲善其事，必先利其器。”在研發方面，2024年，公司研發投入達24.5億元，同比增長94.3%，占營業收入比例約27%。高強度的研發投入推動產品迭代速度顯著提升——過去開發一款新設備需3至5年，如今僅需2年甚至更短時間即可完成。

年報顯示，目前，中微在研項目涵蓋六大類、超20款新設備，包括新一代CCP高能等離子體刻蝕設備、ICP低能等離子體刻蝕設備、晶圓邊緣刻蝕設備、LPCVD（低壓化學氣相沉積）及ALD（原子層沉積）薄膜設備、硅和鍺硅外延EPI設備、新一代等離子體源的PECVD設備和電子束量檢測設備等。

在泛半導體領域，中微的MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）設備持續領跑全球市場，占據氮化鎵基LED照明設備80%以上份額，并加速拓展碳化硅功率器件、Micro-LED等新興領域。

中微公司表示，當前全球半導體產業正迎來新一輪發展機遇。人工智能、云計算、自動駕駛等技術的普及，推動芯片制造向更先進制程演進，對刻蝕、薄膜沉積等核心設備的需求持續攀升。據SEMI預測，2025年全球半導體設備市場規模將達1275億美元，同比增長16%，中國大陸仍是最大市場。公司將借力這一發展潮流，堅持三維發展戰略和五個十大的企業文化，抓住市場機遇、擴大市場份額并持續創新。